Приложение Б
(справочное)
Пример оформления списка исполнителей
СПИСОК ИСПОЛНИТЕЛЕЙ
Должность, ученая степень, ученое звание
|
Подпись, дата
|
Инициалы и фамилия
|
Степень участия в подготовке отчета
|
Научный руководитель НИР, начальник отдела
|
|
В.В. Алексеев
|
Реферат, введение, разделы, 1-2, заключение
|
Ведущий научный сотрудник
|
|
С.В. Морин
|
Раздел 3
|
Старший научный сотрудник, к.т.н.
|
|
С.С. Пересади
|
Раздел 4
|
Научный сотрудник
|
|
Р.А. Струц
|
Раздел 5
|
Ведущий инженер
|
|
В.Н. Федорец
|
Раздел 6
|
В оформлении отчета принимали участие:
Инженер
|
_______________
|
С.И. Гришаев
|
Техник
|
_______________
|
В.И. Фирсова
|
Приложение В
(справочное)
Пример составления реферата
РЕФЕРАТ
Отчет содержит: 85 страниц, 2 части, 24 рисунка, 12 таблиц, 50 источников, 2 приложения.
СБИС, СФ БЛОК, СИСТЕМА НА КРИСТАЛЕ, ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ, ИНФОРМАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ, ЗАКЛАДКИ, ОБРАТНОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ.
Целью выполнения НИР является исследование направлений развития и разработка алгоритмов, методов и технических средств обеспечения информационно-технологической безопасности отечественных функционально сложных сверхбольших интегральных схем (СБИС) при их производстве за рубежом.
Для достижения указанных в ТЗ целей были проанализированы:
существующая научно-техническая и нормативная документация по существующим методам и средствам (аппаратным и программным) несанкционированного вмешательства в схемотехнику и тополгию СБИС с целью несанкционированного получения информации во эксплуатации СБИС и/или нарушения ее работы;
типовой маршрут проектирования цифровых и аналого-цифровых СБИС, процедуры передачи (что передается и в какой форме) топологической и тестовой информации на кремниевую фабрику;
возможные угрозы информационной и технологической безопасности и «слабые места» несанкционированного вмешательства в схемотехнику и топологию СБИС.
На основе проведенного анализа предложены организационно-технические меры, методы и средства обеспечения информационной и технологической безопасности отечественных СБИС, изготовляемых на зарубежных кремниевых фабриках.
Приложение Г
(справочное)
Пример оформления перечня обозначений и сокращений
ПЕРЕЧЕНЬ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
В настоящем отчете приняты следующие обозначения и сокращения:
НИР – научно-исследовательская работа;
ВВСТ – вооружение, военная и специальная техника;
СБИС – сверхбольшая интегральная схема;
ЭКБ – электронная компонентная база;
СНК – система на кристалле;
ПЛИС – программируемые логические интегральные схемы.
Приложение Д
(справочное)
Примеры оформления списка использованных источников
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
Д.1 Стандарты
Если гриф секретности стандарта отсутствует, или не выше, чем гриф секретности НТО, то приводят его полное наименование. Например:
28 ГОСТ Р 51771-2001 Аппаратура радиоэлектронная бытовая. Входные и выходные параметры и типы соединений. Технические требования. – М.: Госстандарт России: Изд-во стандартов, 2001.
Если гриф секретности стандарта выше, чем гриф секретности НТО, то его наименование не приводят. Например:
29 ГОСТ РВ 15.110-2003. – М.: Госстандарт России: Изд-во стандартов, 2003.
Е.2 Книги
Д.2.1 Русские книги:
– при наличии не более трех авторов:
30 Федотов Я.А., Шмарцев Ю.В., Каменский Ю.А. Транзисторы. М: Сов. радио, 1971.
– при наличии более трех авторов:
31 Кремневые планарные транзисторы. Под ред. Федоренко Я.А.. Киев: Техника, 1968. Авт. Колесников В.Г., Никишин В.И., Сыноров В.Ф., Петров Б.К., Иванов И.И.
Примечание – После трех фамилий допускается указывать: и др.
Д.2.2 Переводные книги:
– при наличии: не более трех авторов:
32 ШОКЛИ Р. Теория рn перехода. Пер. с англ. под ред. Прохорова А.М. М.: Мир, 1969.
– без автора:
33 Оптика. Под ред. Р.Уайта. Пер. с англ. под ред. Басова Н.Г. Рига: Зинатне, 1960.
Д.2.3 Иностранные книги
– при наличии не более трех авторов:
34 Cohen R.S., Mountain R.W. Local oxidation. Ed. E.Kool. New York. McGraw-Hill Book Co, 1970.
– при наличии более трех авторов:
35 The preparation of silicon nitride films. McGraw-Hill Book Co, I969. Aut.: R.E.Thomas, A.R.Boothrayd, T.H.Forster, A.E.Bakanowski, L.M.Fairfield.
Примечание – описание иностранных книг сохранять, как в оригинале.
Д.3 Справочники
36 Николаевский И.Ф. Триоды и диоды. Справочник. М: Связь, 1971.
Д.4 Авторские свидетельства
– при наличии не более трех авторов:
37 Фогельсон И.Б. Устройство для измерения температуры. Авт. свидетельство № 191812. – «БИ», 1967, № 4.
– при наличии более трех авторов:
38 Кузнецов Б.К. и др. Способ стробоскопирования. Авт. свидетельство № 255133. – «БИ», 1967, № 3. Авт. изобретения: Кузнецов Б.К., Привалов А.С., Павлов И.П, Горелик Л.Т., Гнетов С.Г.
Д.5 Статьи
Д.5.1 Статьи из сборников:
– при наличии не более трех авторов:
39 Каменский А.А. Низкочастотные транзисторы. – В кн: Полупроводнико вые приборы и их применение. Под ред. Федотова Я.А. Вып. 20. М.: Сов. радио, 1967, с. 25-36.
– при наличии более трех авторов:
40 Шумы в транзисторах. – В кн.: Микроэлектроника. Под ред. Лукина Ф.В., Л.: Судостроение, 1971, с. 255-260. Авт.: Ройзман Н.М., Аврасин Э.И., Сомова И.Б. и др.
Д.5.2 Статьи из сборников трудов
41 Гречкин Л.С, Силин Б.Р., Брянцев А.С. Сцинтиллятор на основе микро кристаллов. – Труды науч.-исслед. ин-та приборостроения, 1967, вып. 4, с. 29-45.
42 Афонская И.А. Клистронный усилитель. – В кн: Труды конференции по электронике СВЧ. М.: Госэнеpгoиздат, 1959, с. 58.
Д.5.3 Статьи из русских журналов:
– при наличии не более трех авторов:
43 Петров Б.К., Иванов Г.Б. Планарные транзисторы. – «Известия АН СССР. Сер. физ.», 1957, т. 9, № 5, (с. 37-43).
44 Устинов В.Ф. Бескорпусный транзистор. – «Электронная техника. Сер. Микроэлектроника», 1970, вып. 4, (с. 12-14).
– при наличии более трех авторов:
45 Эффект вытеснения базовой примеси. – «Известия вузов СССР. Радиотехника». 1957, т. 3, № 4, с. 21-27. Авт.: Сидоров А.П., Смирнов В.Г., Баландин Н.М., Валов А.В.
Д.5.4 Статьи из иностранных журналов:
– при наличии не более трех авторов:
46 Johnes R. Semiconductors. – «J. Appl. Рhys.», 1963, v. 73, № 2, p. 35-38. White M.L. The detection and control. – In: Clean surfuces. Еd. bу G. Good. New York, Marcel Dekker, Inc., 1970.
47 Picus F. Data flow in automatic message processing system. In: Proc. 8th, Intern. Conv. Military Electronics. Washington, D.C., 1964 June 26-28. New York, McGraw-Hill Book Co, 1965.
– при наличии более трех авторов:
48 Secondary breakdown and hot spots in power transistors. –«IЕЕE Internat. Conv. Rec.», 1963, Pt.3, v. II, № 5, p. 3-I3. Aut.: R.M. Scarleyy, W. Shockley, F. Bergman, D. Gersther, P.L. Hower.
Ответственный разработчик,
старший научный сотрудник
|
|
С.С. Пересади
|
Согласовано:
|
|
|
Первый заместитель директора
начальник НИЦ
|
|
В.М. Исаев
|
Начальник управления – заместитель начальника НИЦ
|
|
О.В. Воронков
|
Начальник организационно-планового отдела
|
|
А.В. Черняев
|
Начальник отдела микроэлектроники и полупроводниковой техники
|
|
В.В. Алексеев
|
Начальник отдела пассивной электроники и электротехнических изделий
|
|
В.В. Семенчук
|
Начальник отдела СВЧ электроники
|
|
И.Н. Кабанов
|
Врио начальника отдела оптоэлектронной техники
|
|
А.А. Кочетков
|
Лист регистрации изменений
№
изм.
|
Номера страниц
|
Номер «Извещения об изменении»
|
Подпись
|
Дата
|
Срок введения изменения
|
измененных
|
замененных
|
новых
|
аннулированных
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
